Защо GaN чиповете са толкова важни в заглушителите?

- Високочестотна характеристика: GaN чиповете имат отлични високочестотни характеристики и могат да работят в широк честотен диапазон. Заглушителите обикновено трябва да покриват множество честоти, за да се справят с различни типове целеви сигнали. Например, някои заглушители трябва да работят в честотната лента 4000-8000MHz, за да пречат на сигналите на дронове. Базираните на GaN усилватели могат да постигнат високо усилване и високоефективно усилване в такава високочестотна лента, бързо да се адаптират към промените в различните честоти на сигнала и модулационни методи и да постигнат смущения в реално време.

- Възможност за висока мощност: GaN има широка ширина на обхвата от 3,4 eV и неговото пробивно поле е 20 пъти по-високо в сравнение с други радиочестотни полупроводникови технологии. Това позволява на базираните на GaN усилватели на мощност да се справят със сигнали с високо напрежение и висок ток, което води до високомощен RF изход. Например, в оборудването против RCIED са необходими високомощни сигнали за заглушаване, за да се прекъснат безжичните тригерни сигнали, а GaN чиповете могат да изпълнят това изискване и ефективно да пречат на нормалната работа на RCIED приемниците. В допълнение, при анти-UAV заглушителите е необходим изход с висока мощност за потискане на комуникационните сигнали на дронове в определен диапазон, а GaN чиповете могат да осигурят необходимата мощност.

- Високочестотна характеристика: GaN чиповете имат отлични високочестотни характеристики и могат да работят в широк честотен диапазон. Заглушителите обикновено трябва да покриват множество честоти, за да се справят с различни типове целеви сигнали. Например, някои заглушители трябва да работят в честотната лента 4000-8000MHz, за да пречат на сигналите на дронове. Базираните на GaN усилватели могат да постигнат високо усилване и високоефективно усилване в такава високочестотна лента, бързо да се адаптират към промените в различните честоти на сигнала и модулационни методи и да постигнат смущения в реално време.

- Висока ефективност: GaN чиповете имат висока подвижност на електрони, което може да намали съпротивлението при включване и да увеличи скоростта на превключване, като по този начин намалява загубата на мощност по време на работа, подобрява ефективността на преобразуване и намалява генерирането на топлина. Например, в 50-ватов модул за заглушаване, базиран на GaN чип, ефективността може да достигне 45% или дори по-висока. Високата ефективност не само спомага за пестене на енергия, но също така позволява на заглушителя да работи стабилно за дълго време и намалява изискванията към системата за захранване на заглушителя и системата за разсейване на топлината, което благоприятства миниатюризацията и преносимостта на оборудването.

- Добра топлопроводимост: GaN има добра топлопроводимост, която благоприятства разсейването на топлината, генерирана, когато чипът работи. По време на работа с висока мощност топлината, генерирана от чипа, може бързо да се прехвърли навън чрез структурата за разсейване на топлината, избягвайки проблема с влошаване на производителността или дори повреда на чипа поради прегряване. Например, обвивката на керамичната тръба, използвана в базирания на GaN чип модул за заглушаване, може значително да подобри ефекта на разсейване на топлината и да гарантира, че модулът работи стабилно при тежки условия на околната среда.

Модул за усилвател на мощност GAN 50 W със защита на кръга

- Силна способност против смущения: GaN чиповете имат силна способност против смущения и все още могат да поддържат стабилна производителност в сложни електромагнитни среди. Заглушителите често трябва да работят в среда, пълна с различни сигнали за смущения. Отличната способност срещу смущения на GaN чиповете може да гарантира, че заглушителите могат точно да генерират сигнали за смущения и ефективно да се намесват в целевите сигнали, без да бъдат засегнати от други сигнали за смущения.